Билет № 20
1. Типы гетеропереходов
Гетеропереход — контакт двух различных по химическому составу полупроводников (монокристаллических или аморфных). Для практических приложений наиболее часто используются гетеропереходы, образованные монокристаллами.
Изотипный гетеропереход – контакт полупроводников с одинаковым типом проводимости.
Анизотипный гетеропереход — контакт полупроводников с различными типами проводимости.
Требования к гетеропереходам очень жесткие. Для получения гетеропереходов без дефектов кристаллической решетки необходимо, чтобы совпадали типы кристаллических решеток полупроводников, их периоды и коэффициенты теплового расширения. Пример почти идеального гетероперехода GaAs – AlxGa1-xAs. В данном случае периоды кристаллических решеток совпадают с точностью ≈ 0,1 %.
Гетеропереходы принято разделять на резкие и плавные. В резких гетеропереходах на границе полупроводников происходит разрыв зон и в переходной области имеется заметный объемный заряд. В плавных гетеропереходах с достаточно большой толщиной переходной области нет разрыва зон. Например, в изотипном переходе при lперlD, где lD - дебаевекая длина экранирования, практически отсутствует объемный заряд и переходная область представляет собой кристалл с переменной шириной запрещенной зоны Eg.
Толщина lпер переходной области между однородными полупроводниками может изменяться в широких пределах. В наиболее резких переходах lпер ≈ 10 Å — несколько атомных слоев.